适用工艺：用于2-6英寸多晶硅、氮化硅、氧化硅薄膜生长工艺及其掺杂如PSG或BPSG等

产品特点：
◆主机为水平三管炉系统构架，独立完成不同的工艺或相同工艺
◆工业计算机控制系统，对炉温、进退舟、气体流量、闸门等动作进行自动控制
◆采用悬臂送片器，操作方便、无摩擦污染等
◆关键部件均采用进口，确保设备的高可靠性
◆工艺管路采用进口阀门管件组成-气密性好、耐腐蚀、无污染（管路均采用EP级电抛光管），流量控制采用进口质量流量计（MFC）
◆工作压力闭环自动控制，提高工艺稳定性和可靠性
◆控温精度高，温区控温稳定性好
◆具有断电报警、超温报警、极限超温报警等多种安全保护功能
◆高质量的加热炉体，确保恒温区的高稳定性及长寿命

LPCVD主要技术指标
◆工作温度：300～1000℃
◆适应硅片尺寸：2～6英寸
◆装片数量：30～100片/管
◆工艺管数量：1～3管（可选择）
◆恒温区长度： 760mm±1℃（热壁式，可形成温度梯度）
◆极限真空度： 8.0× 10 ^-1 Pa（约6.0× 10 ^-3Torr）
◆工作真空度： 10 ～ 1000Pa可调
◆淀积膜均匀性：片内≤±5%
◆控制系统：整机控制系统采用工业控制计算机（WINDOWS 系统界面，操作方便简洁）
◆气源系统：进口阀管件、自动轨道焊接
◆典型工艺（仅供参考）：
①氮化硅淀积：提供典型工艺气路（具体根据用户的工艺要求调整）
参考工艺类型： 3 NH₃+4SiH₄ → Si₃N₄+12H₂ ……
②多晶硅淀积：提供典型工艺气路（具体根据用户的工艺要求调整）
参考工艺类型： SiH₄ → Si+2H₂ ……
③ 二氧化硅淀积：提供典型工艺气路（具体根据用户的工艺要求调整）
参考工艺类型： Si(OC2H5)₄ → SiO₂+ 4C₂H₄+2H₂O （ DCS/N₂O 等） ……
PSG: TEOS-O₂ 体系， + 磷烷（亦可磷酸三甲酯、三氯氧磷）
BPSG: 在 PSG 中加入 B₂H₆ （硼烷）或硼酸三甲酯
---- 薄膜淀积工艺（相应的掺杂 - 仅供参考，具体根据客户的情况作相应的调整）。