鍥剧墖婊氬姩
 
 
真空炉
 
扩散炉
 
链式炉
 
合金炉
 
工业炉
 
气氛炉
 
实验炉
 
烘箱
 
控制柜
 
扩散炉炉体
 
LPCVD/PECVD
 
太阳能电池专用
 
   
   
  LPCVD/PECVD

LPCVD

LPCVD

适用工艺:用于2-6英寸多晶硅、氮化硅、氧化硅薄膜生长工艺及其掺杂如PSG或BPSG等

产品特点:
◆主机为水平三管炉系统构架,独立完成不同的工艺或相同工艺
◆工业计算机控制系统,对炉温、进退舟、气体流量、闸门等动作进行自动控制
◆采用悬臂送片器,操作方便、无摩擦污染等
◆关键部件均采用进口,确保设备的高可靠性
◆工艺管路采用进口阀门管件组成-气密性好、耐腐蚀、无污染(管路均采用EP级电抛光管),流量控制采用进口质量流量计(MFC)
◆工作压力闭环自动控制,提高工艺稳定性和可靠性
◆控温精度高,温区控温稳定性好
◆具有断电报警、超温报警、极限超温报警等多种安全保护功能
◆高质量的加热炉体,确保恒温区的高稳定性及长寿命

LPCVD主要技术指标
◆工作温度:300~1000℃
◆适应硅片尺寸:2~6英寸
◆装片数量:30~100片/管
◆工艺管数量:1~3管(可选择)
◆恒温区长度: 760mm±1℃(热壁式,可形成温度梯度)
◆极限真空度: 8.0× 10 -1 Pa(约6.0× 10 -3Torr)
◆工作真空度: 10 ~ 1000Pa可调
◆淀积膜均匀性:片内≤±5%
◆控制系统:整机控制系统采用工业控制计算机(WINDOWS 系统界面,操作方便简洁)
◆气源系统:进口阀管件、自动轨道焊接
◆典型工艺(仅供参考):
①氮化硅淀积:提供典型工艺气路(具体根据用户的工艺要求调整)
参考工艺类型: 3 NH3+4SiH4 → Si3N4+12H2 ……
②多晶硅淀积:提供典型工艺气路(具体根据用户的工艺要求调整)
参考工艺类型: SiH4 → Si+2H2 ……
③ 二氧化硅淀积:提供典型工艺气路(具体根据用户的工艺要求调整)
参考工艺类型: Si(OC2H5)4 → SiO2+ 4C2H4+2H2O ( DCS/N2O 等) ……
PSG: TEOS-O2 体系, + 磷烷(亦可磷酸三甲酯、三氯氧磷)
BPSG: 在 PSG 中加入 B2H6 (硼烷)或硼酸三甲酯
---- 薄膜淀积工艺(相应的掺杂 - 仅供参考,具体根据客户的情况作相应的调整)。


友情提示:以上产品均为非标类产品,均可根据客户要求进行定制,因每家要求各不相同,

因此产品只以一张图片举例,并未全部列出。本公司兼营进口设备仿制业务,欢迎来电垂询。


看同类产品MASGEL到产品大厅

MASGEL
  • 销售电话:0532-66084224 销售传真:0532-67761046 电子邮箱:masgel@163.com
  • 官方网站:www.manshizhizao.com
  • 地址:青岛市李沧区瑞金路25-号
  • MASGELMASGEL在线服务:点击QQ号码左侧对应的“MASGEL”图标即可与之联系.
  • 青岛曼什微电子设备制造有限公司[在线服务]QQ号码:222-7225997 青岛曼什微电子设备制造有限公司[在线服务]QQ号码:222-7557830MASGELQQ号码:222-5750796 MASGELQQ号码:222-6063017
  • 青岛曼什微电子设备制造有限公司[在线服务]QQ号码:151541-5999 青岛曼什微电子设备制造有限公司[在线服务]QQ号码:227676-3777但凡利于公司发展的:好听的,要听;不好听的,也要听。—朱育民QQ号码:7088-77677 7MASGELQQ号码:97999-7250
  • 网站许可证号:鲁ICP备10029503号